一、目的

本設(shè)備基于單旋轉(zhuǎn)補償器調(diào)制技術(shù)一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜，可實現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學(xué)常數(shù)的快速分析表征。

二、測量系統(tǒng)規(guī)格

SE-VE光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù)

1. 橢偏儀測頭規(guī)格：

1. 光譜范圍：400-800nm

2. 入射角：65°

3. 光斑大小：2-3mm

4. 調(diào)制技術(shù)：PC_RSA調(diào)制技術(shù)

5. 膜厚重復(fù)性測量精度：0.05nm（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復(fù)測量1σ）

6. 折射率測量精度：0.001（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復(fù)測量1σ）

7. 膜厚測量范圍：0.1nm—10μm

8. 單點測量時間：＜5s

9. 光源：高性能進口鹵素?zé)艄庠矗u素?zé)魤勖?/span>2,000h）

10. 可視化樣品顯微對準系統(tǒng)

    

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